在电器电路设计中如果在可控硅两端施加了过高的电压和过大的电流或过高的di/dt，就有可能导致失效。在可控硅关断时，如果来自电网的电压（比如说打雷）超过可控硅可承受的耐压，则可控硅的外层会被熔化，表现为短路或正反向耐压失效。在可控硅开通瞬间（特别对于感性负载）如果尖峰电压过高，也会导致可控硅在金属层边缘上穿通，有时也会在角落上，表现为短路特性。

 过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可控硅两端一定要接入RC吸收回路，以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压，如果经常发生可控硅击穿，请检查一下吸收回路的各元件是否有烧毁或失效的。