1.MOSFET静电击穿损坏原因及预防：

MOSFET的栅极与源极间的电压，即栅源电压，一般为20-30V，如果所加栅源电压超出这个范围，就有可能造成永久损坏。原因是MOSFET的输入阻抗较高，电荷不能及时的释放，积聚在栅极，就会造成栅源之间电压超出20-30V的上限，这时候MOSFET就可能损坏，例如人体的静电往往会造成MOSFET的击穿损坏。

为了防止MOSFET被静电破坏,一般在整机制造过程中人体要通过静电手镯良好接地,电烙铁接地等等都是必要的，在电路应用上在GS极之间加适当的稳压管,或电阻来防止干扰脉冲或是静电破坏。

2. MOSFET雪崩击穿损坏原因及预防：

雪崩损坏是指MOSFET在关断过程中，电感器件所产生的电压尖峰超出MOSFET的漏极额定耐压并超出一定的能量后，进入击穿区域而导致的破坏模式。

在电路应用中预防雪崩击穿一般采取如下原则：

（1）大电流路径尽量使用粗短布线，降低寄生电感。

（2）选择适当的栅极电阻RG，抑制DV/DT。因为在开关断开时产生的尖峰电压，通过增大断开时的常数RG，可以抑制尖峰电压。但如果常数RG过大，往往会导致开关损耗的增大，因此选择合适的栅极电阻RG很重要。

（3）添加吸收回路连接在MOSFET的漏极、源极之间

3. MOSFET过电流损坏原因及预防：

过电流是MOSFET在实际应用过程中，通过MOSFET的漏极电流超出额定电流的现象。

MOSFET的工作过程是受前级电路控制的，在整机生产过程中的一些工步异常，往往会导致前级电路工作异常，此时若前级电路输出给MOSFET的栅极信号持续高电平，就会导致MOSFET的持续导通，此时流过MOSFET漏极的电流会超出MOSFET额定漏极电流的很多倍，就会导致过电流失效。

预防过电流一般采取如下措施

（1）设计使用过程中，实际电流要留有裕量。

（2）保证整机生产过程中的工艺稳定。

（3）保证其它器件的工作正常。

4. MOSFET线性区失效损坏原因及预防：

当MOSFET应用在开关电路时，如果MOSFET在开关过程中，功率MOSFET不能完全导通，电流上升及下降时间过长，功率MOSFET就工作在放大状态，即线性区。功率MOSFET工作在线性区时，产生局部热点，温度过高，继而损坏。一般损坏的热点的面积较大，是因为此区域有一定时间的热量积累，破位的位置往往也是散热条件最差的区域。另外，在功率MOSFET内部，局部性能弱的单元，封装的形式和工艺，都会对破位的位置产生影响。

预防线性区失效的方法就是要求MOSFET在做开关电路应用时，驱动电路的信号输出要求幅值及速度合适，避免工作在线性区。

5.MOSFET工装失效预防：

MOSFET在管脚成型及散热片工装过程中，如果操作不当，应力过大，往往会造成芯片及塑封料的裂纹。

在MOSFET的引脚成型及切断时，应注意以下几点：

（1）在弯折引线时，为了防止在封装本体与引线之间施加相对应力，必须固定弯折点与本体之间的引线，不要触摸本体，也不要拿着本体弯折引线，如下图：

另外，当使用模具进行大量引线的成型时，必须设置固定引线的机构，要注意引线压杆机构不能对器件本体施加压力。如下图：

（2）将引线弯成直角时，必须离本体3mm的位置进行，并且弯曲度不能超过90度。当弯曲度不超过90度时，必须在距离本体至少1.5mm的地方进行弯折。如下图：

（3）不能重复弯折引脚。