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MOS产品常见问题

发布日期:2016-07-12 09:15

  MOS产品:

1.MOSFET静电击穿损坏原因及预防:

MOSFET的栅极与源极间的电压,即栅源电压,一般为20-30V,如果所加栅源电压超出这个范围,就有可能造成永久损坏。原因是MOSFET的输入阻抗较高,电荷不能及时的释放,积聚在栅极,就会造成栅源之间电压超出20-30V的上限,这时候MOSFET就可能损坏,例如人体的静电往往会造成MOSFET的击穿损坏。

为了防止MOSFET被静电破坏,一般在整机制造过程中人体要通过静电手镯良好接地,电烙铁接地等等都是必要的,在电路应用上在GS极之间加适当的稳压管,或电阻来防止干扰脉冲或是静电破坏。

2. MOSFET雪崩击穿损坏原因及预防:

雪崩损坏是指MOSFET在关断过程中,电感器件所产生的电压尖峰超出MOSFET的漏极额定耐压并超出一定的能量后,进入击穿区域而导致的破坏模式。

在电路应用中预防雪崩击穿一般采取如下原则:

(1)大电流路径尽量使用粗短布线,降低寄生电感。

(2)选择适当的栅极电阻RG,抑制DV/DT。因为在开关断开时产生的尖峰电压,通过增大断开时的常数RG,可以抑制尖峰电压。但如果常数RG过大,往往会导致开关损耗的增大,因此选择合适的栅极电阻RG很重要。

(3)添加吸收回路连接在MOSFET的漏极、源极之间

3. MOSFET过电流损坏原因及预防:

过电流是MOSFET在实际应用过程中,通过MOSFET的漏极电流超出额定电流的现象。

MOSFET的工作过程是受前级电路控制的,在整机生产过程中的一些工步异常,往往会导致前级电路工作异常,此时若前级电路输出给MOSFET的栅极信号持续高电平,就会导致MOSFET的持续导通,此时流过MOSFET漏极的电流会超出MOSFET额定漏极电流的很多倍,就会导致过电流失效。

预防过电流一般采取如下措施

(1)设计使用过程中,实际电流要留有裕量。

(2)保证整机生产过程中的工艺稳定。

(3)保证其它器件的工作正常。

4. MOSFET线性区失效损坏原因及预防:

当MOSFET应用在开关电路时,如果MOSFET在开关过程中,功率MOSFET不能完全导通,电流上升及下降时间过长,功率MOSFET就工作在放大状态,即线性区。功率MOSFET工作在线性区时,产生局部热点,温度过高,继而损坏。一般损坏的热点的面积较大,是因为此区域有一定时间的热量积累,破位的位置往往也是散热条件最差的区域。另外,在功率MOSFET内部,局部性能弱的单元,封装的形式和工艺,都会对破位的位置产生影响。

预防线性区失效的方法就是要求MOSFET在做开关电路应用时,驱动电路的信号输出要求幅值及速度合适,避免工作在线性区。

5.MOSFET工装失效预防:

MOSFET在管脚成型及散热片工装过程中,如果操作不当,应力过大,往往会造成芯片及塑封料的裂纹。

在MOSFET的引脚成型及切断时,应注意以下几点:

(1)在弯折引线时,为了防止在封装本体与引线之间施加相对应力,必须固定弯折点与本体之间的引线,不要触摸本体,也不要拿着本体弯折引线,如下图:

另外,当使用模具进行大量引线的成型时,必须设置固定引线的机构,要注意引线压杆机构不能对器件本体施加压力。如下图:

(2)将引线弯成直角时,必须离本体3mm的位置进行,并且弯曲度不能超过90度。当弯曲度不超过90度时,必须在距离本体至少1.5mm的地方进行弯折。如下图:

(3)不能重复弯折引脚。

(4)不能向外侧弯折引脚。

 

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